ALD可沉積材料 1. II-VI化合物: Zn. S, Zn. Se, Zn. Te, Ca. S, Sr. S, Ba. S, Sr. S 1 -x. Sex, Cd. S, Cd. Te等 2. III-V化合物: Ga. As, Al. P, In. P, Ga. P, In. As, Alx. Ga 1 -x. As, Gax. In 1 -x. P 3. 氮(碳)化物半導體/介電材料: Al. N, Ga. N, In. N, Si. Nx 4. 導體: Ti. N(C), Ta 3 N 5, Nb. N(C), Mo. N(C) 5. 氧化物介電層: Al 2 O 3, Ti. O 2, Zr. O 2, Hf. O 2, Ta 2 O 5, Nb 2 O 5, Y 2 O 3, Mg. O, Ce. O 2, Si. O 2, La 2 O 3, Sr. Ti. O 3, Ba. Ti. O 3, Cr 2 O 3 6. 透明導體/半導體: In 2 O 3, In 2 O 3: Sn, In 2 O 3: F, In 2 O 3: Zr, Sn. O 2: Sb, Zn. O: Al, Ga 2 O 3, Ni. O, Co. Ox 7. 超導材料: YB 2 Cu 3 O 7 -x 8. 其他三元材料: La. Co. O 3, La. Ni. O 3 9. 氟化物: Ca. F, Sr. F, Zn. F 10. 單質材料: Si, Ge, Cu, Mo, Pt, W, Co, Fe, Ni, Ru 11. 其他: La 2 S 3, Pb. S, In 2 S 3, Cu. Ga. S 2, Si. C 31