Anotace DUM slou k zopakovn zkladnch znalost o

  • Slides: 10
Download presentation
Anotace DUM slouží k zopakování základních znalostí o unipolárních tranzistorech

Anotace DUM slouží k zopakování základních znalostí o unipolárních tranzistorech

UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY (Tranzistory řízené elektrickým polem) Ovládají se pouze napětím, mají velký vstupní odpor

UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY (Tranzistory řízené elektrickým polem) Ovládají se pouze napětím, mají velký vstupní odpor až MΩ JFET MOSFET MESFET D D G G S S Schematické značky

K zapamatování Proud v unipolárních tranzistorech prochází jen polovodičem jednoho typu. Proud vedou buď

K zapamatování Proud v unipolárních tranzistorech prochází jen polovodičem jednoho typu. Proud vedou buď jenom elektrony nebo jenom díry

Unipolární tranzistory (Tranzistory řízené elektrickým polem) D (C) S (E) G Základem je polovodičová

Unipolární tranzistory (Tranzistory řízené elektrickým polem) D (C) S (E) G Základem je polovodičová destička s nevlastní vodivostí typu N. Na jejich koncích jsou kovové kontakty pro přívod proudu. Kontakty současně tvoří emitor (E) a kolektor (C).

Elektronické zesilovače VY_32_INOVACE_rypkova_ 04 -2 -04 -Unipolární tranzistor - činnost Ing. Božena Rypková Tento

Elektronické zesilovače VY_32_INOVACE_rypkova_ 04 -2 -04 -Unipolární tranzistor - činnost Ing. Božena Rypková Tento výukový materiál byl zpracován v rámci projektu EU peníze středním školám - OP VK 1. 5. CZ. 1. 07/1. 5. 00/34. 0195 – Individualizace a inovace výuky

Unipolární tranzistor Na horní i dolní straně destičky je silně dotovaná vrstva vodivosti typu

Unipolární tranzistor Na horní i dolní straně destičky je silně dotovaná vrstva vodivosti typu P nazývána hradlo G –gate (gejt). G + P E kovový kontakt C N _ + P silně dotovaná vrstva G + Obě vrstvy jsou spolu vodivě spojeny. Prostor mezi mim se nazývá kanál.

Proud regulujeme přivedením napětí mezi svorky S a G G (hradlo – Gate) Source

Proud regulujeme přivedením napětí mezi svorky S a G G (hradlo – Gate) Source - zdroj S P N D (Drain – odtok) P G Přivedeme-li závěrné napětí na G dojde k rozšíření PN přechodu. Přechod PN se polarizuje do závěrného směru. Dojde k úplnému uzavření kanálu. zpět

MOSFET Metal (kov) Oxid Semiconductor (polovodič) Má hradlo zcela izolované od vodivého kanálu Nemá

MOSFET Metal (kov) Oxid Semiconductor (polovodič) Má hradlo zcela izolované od vodivého kanálu Nemá propojeny elektrody S a D Rozdělení: a) s indukovaným kanálem b)í s vodivým kanálem Použití: jako rychlý spínač, v zesilovačích, zpět

MESFET Metal (kov) Semiconductor (polovodič) Tranzistor se Schottkyho přechodem Source (S) + Drain (D)

MESFET Metal (kov) Semiconductor (polovodič) Tranzistor se Schottkyho přechodem Source (S) + Drain (D) – ohmický kontakt Ga. As – větší pohyblivost elektronů Arzenid galia větší rychlost přepínání Použití: Vysokofrekvenční technika zpět

Použitá literatura KESL, Jan. Elektronika: učebnice : základní studijní materiál pro střední školy. 2.

Použitá literatura KESL, Jan. Elektronika: učebnice : základní studijní materiál pro střední školy. 2. , aktualiz. a rozš. vyd. Praha: BEN - technická literatura, 143 s. ISBN 80 -7300143 -8. HÄBERLE, Heinz. Průmyslová elektronika a informační technologie: učebnice : základní studijní materiál pro střední školy. Vyd. 1. Praha: Europa-Sobotáles, 719 s. ISBN 80 -867 -0604 -4. Použité obrázky: vlastní tvorba autorky v programu Power. Point.