A 1 B 13 VVZ Charakter vroby vkonovch

A 1 B 13 VVZ Charakter výroby výkonových polovodičových zařízení A 1 B 13

Charakter výroby - měniče Kusová výroba: • měniče vyšších výkonů – řízení motorů (čerpadel), centrální střídače • nutné řešit dopravu, vše „na míru“

Charakter výroby - měniče Malosériová výroba: • měniče středních výkonů • pohony, střídače FVE, Sériová výroba: • měniče malých výkonů • pohony, nabíječky, zdroje Hromadná výroba: • měniče malých výkonů • zdroje pro PC, elektroniku, nářadí, nabíječky

Výroba polovodičů - křemík • základem je křemík – 20 % Zemské kůry • hutnické zpracování • výsledná čistota 96 % až 99 %

Čištění hutnického křemíku • chemicky: (HSi. Cl 3+H 2 => Si + 3 HCl) • zonální tavba: opakovaním zvyšujeme čistotu materiálu

Vyčištěný křemík • Čistota dle použití – "elekronická" – "solární“

Růst monokrystalu • Czochralského metoda

Hotový ingot - monokrystal • Monokrystal o průměru 100 mm až 450 mm

Řezání ingotu • Rozřezání ingotu na wafery (Si desky)

Řezání křemíku • Jiná metoda řezu – diamantová pila

Leštění, leptání a lapování • Konečná úprava povrchu destičky - drsnost

Wafer – výsledný produkt • Výsledkem předchozích operací je základní materiál pro výrobu polovodičových součástek

Konstrukce polovodičových součástek • epitaxe (růst), • difuze (průnik), • iontová implantace (průnik), • fotolitografie, • napařování, • leptání, abrasivní broušení • a další. . .

Pouzdření čipů - postup čipy na waferu: • jsou otestovány • vadné označeny • wafer je rozřezán • jednotlivé čipy pak jsou pouzdřeny

IGBT - příklad

IGBT modul - postup

IGBT součástka - příklad

Montáž součástek a integrované struktury Mimo základní polovodičové prvky (diody, tranzistory, tyristory. . . ) jsou stále častěji využívány integrované struktury: • Kombinace výkonového prvku a řídicí elektroniky • Většinou formou "bezpotenciálového modulu„ Pasivní součástky: • SMD nebo THT provedení

Výkonový integrovaný modul

Řez (inteligentním) modulem