6 CVD System LPCVD Low Pressure CVD APCVD
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6. CVD System 의 분류 반응실의 생성압력에 따라 LPCVD ( Low Pressure CVD ) 와 APCVD (Atmospheric Pressure CVD )로 분류 할 수 있으며, 고속전자나 여기 에너지에 따라 Thermal, Plasma, Photon, Laser CVD로 분류되며, 또한 반응실의 벽이 가열 되는 Hot Wall, 반응기와 기판만 선택적으로 가열되는 Cold Wall방식으로 분류 할 수 있으며, 반응실의 형에 따라는 수직형, 수평형, Barrel형, 회전형, 연속형 등으로, 형성된 박막의 용도에 따라는 DCVD(Dielectric CVD) , MCVD(Metal CVD)등으로, 반응재료에 따른 분류로 MOCVD(Metal Organic CVD), MICVD(Metal Inorganic CVD)로, 또 최근에는 증착 박막의 미세두께 특징을 나타내는 ALD(Atomic Layer Deposition)등으로 그야말로 보는 관점에 따라 다양하게 분류 할 수 있다. CVD Reactor Parameters Variations Temperature range Low, Medium, High Deposition Pressure ATM, Low Reactor geometry / Wall temp. Hot wall, Cold wall Energy Source Temp. , R. F , UV-light Deposition film Dielectric , Metal Reactant / Carrier gases Metal Organic, Inorganic 9 www. semistudy. com
Fig. 4 CVD System 의 분류 CVD APCVD LPCVD Thermal CVD PECVD Photon CVD Hot Wall Cold Wall 수평형 연속형 수평형 수직형 수평형 배럴형 10 매엽형 www. semistudy. com
각종 CVD법의 장단점 및 응용박막 Process APCVD (Low Temp) Advantages - Simple reactor - Fast deposition - Low temperature Disadvantages Applications - Poor step coverage - Low temp oxides, both - Particle contamination doped and undoped LPCVD - Excellent purity & uniformity - High temperature - Conformal step coverage - Low deposition rate - Large wafer capacity PECVD - Low temperature - Fast deposition - Good step coverage - High temp oxide - Silicon nitride - Poly-Si - W, WSi 2 - Chemical and particle - PMD(pre metal dielectric) contamination - Passivation nitride 12 www. semistudy. com
