100 um 40 um TiTa 1002000 nm Ntype

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元件尺寸設計 100 um 40 um Ti/Ta -100/2000 nm N-type P-type 1400 nm Ti/Pt -20/200

元件尺寸設計 100 um 40 um Ti/Ta -100/2000 nm N-type P-type 1400 nm Ti/Pt -20/200 nm Si. O 2 -850 nm Si-substrate 50 um

下電極、N極及P極佈置圖 50 um 5 um 145 um 20 um 110 um 145 um 580

下電極、N極及P極佈置圖 50 um 5 um 145 um 20 um 110 um 145 um 580 um 4

上電極佈置圖 40 um 160 um 100 um 5

上電極佈置圖 40 um 160 um 100 um 5

Silicon Oxide Si-Substrate PR Silicon Oxide Si-Substrate b. 上5214光阻 PR Silicon Oxide Si-Substrate d.

Silicon Oxide Si-Substrate PR Silicon Oxide Si-Substrate b. 上5214光阻 PR Silicon Oxide Si-Substrate d. 顯影 PR Silicon Oxide Si-Substrate e. 依序鍍Ti/Pt, 厚度分別為 40 nm/200 nm PR Silicon Oxide Si-Substrate c. 使用光罩#1曝光 Silicon Oxide Si-Substrate f. 去光阻

PR PR Silicon Oxide Si-Substrate g. 上光阻後, 使用光罩#2曝光 N h. 顯影 N Silicon Oxide

PR PR Silicon Oxide Si-Substrate g. 上光阻後, 使用光罩#2曝光 N h. 顯影 N Silicon Oxide Si-Substrate j. 去光阻 PR Silicon Oxide Si-Substrate k. 上光阻後, 使用光罩#3曝光 N PR Silicon Oxide Si-Substrate i. 鍍N型熱電材料,厚度 1 um N PR Silicon Oxide Si-Substrate l. 顯影

N PR P Silicon Oxide Si-Substrate PR N P Silicon Oxide Si-Substrate p. 使用光罩#4曝光

N PR P Silicon Oxide Si-Substrate PR N P Silicon Oxide Si-Substrate p. 使用光罩#4曝光 PR P o. 上光阻 1. 3 um n. 去光阻 N PR Silicon Oxide Si-Substrate m. 鍍P型熱電材料,厚度 1 um N P N PR P Silicon Oxide Si-Substrate q. 顯影 r. 依序鍍Ti/Pt, 厚度分別 1500 nm/500 nm

PR N PR PR P s. 上光阻後, 使用光罩#5曝光 P Silicon Oxide Si-Substrate u. 去光阻

PR N PR PR P s. 上光阻後, 使用光罩#5曝光 P Silicon Oxide Si-Substrate u. 去光阻 PR Silicon Oxide Si-Substrate N N t. 顯影 P N PR Silicon Oxide Si-Substrate u. 乾式蝕刻 P

光阻塗佈厚度參數表 旋轉塗佈 第一轉 第二轉 Rotating 500 rpm 厚度 4. 4 um Time 60 s

光阻塗佈厚度參數表 旋轉塗佈 第一轉 第二轉 Rotating 500 rpm 厚度 4. 4 um Time 60 s 0 旋轉塗佈 第一轉 第二轉 Rotating 1000 rpm 3000 rpm 厚度 1. 8 um Time 10 s 30 s 旋轉塗佈 第一轉 第二轉 Rotating 1000 rpm 4000 rpm 厚度 1. 5 um Time 10 s 30 s 15

微影製程參數 Si Wafer 光阻塗佈 預烤 • Si Wafer 準備 • 上5214型光阻(AZ 5214 E) •

微影製程參數 Si Wafer 光阻塗佈 預烤 • Si Wafer 準備 • 上5214型光阻(AZ 5214 E) • Spin Coating: Step 1: 1000 rpm (10 s) Step 2: 4000 rpm (30 s) • 100°C (7 min) 直接烤 曝光 • 6 sec • Soft Contact 顯影 • AZ-300 25 sec • 泡DI Water 5 sec 硬烤 • N/A 16

2017/6/3 第一版 Step 5:依序鍍Ti/Pt,厚度分別為 40 nm/200 nm Sputtering Recipe Titanium Platinum Base Pressure 4.

2017/6/3 第一版 Step 5:依序鍍Ti/Pt,厚度分別為 40 nm/200 nm Sputtering Recipe Titanium Platinum Base Pressure 4. 9× 10 -6 torr Gas Flow Ar-13 sccm Ar-80 sccm Power DC-100 W DC-40 W PR Silicon Oxide Rotating speed 20 rpm 10 rpm Deposition Times 167 s 1332 s Si-Substrate Thickness 20 nm 200 nm l 開啟Sputter後,破真空, 將Ti靶跟Pt靶換入桿中, 同時放入試片後,抽真 空。 l 依照參數進行濺鍍。 l 濺鍍完後取出。 19

2017/6/3 第一版 Step 9:鍍N型熱電材料,厚度 1. 4 um N PR Silicon Oxide Si-Substrate Sputtering Recipe

2017/6/3 第一版 Step 9:鍍N型熱電材料,厚度 1. 4 um N PR Silicon Oxide Si-Substrate Sputtering Recipe Bi 2. 0 Te 2. 7 Se 0. 3 Base Pressure 4. 9× 10 -6 torr Gas Flow Ar-30 sccm Power RF-20 W Rotating speed 20 rpm Deposition Times 8529 s Thickness 1400 nm l 開啟Sputter後,破真空, 將Bi 2. 0 Te 2. 7 Se 0. 3靶換入桿 中,同時放入試片後, 抽真空。 l 依照參數進行濺鍍。 l 濺鍍完後取出。 (濺鍍靶材會因為靶材剩餘 的多寡在表面造成形變,鍍 率也會因此有所差異,鍍率 最好每次濺鍍時重新測量一 次) 23

2017/6/3 第一版 Step 13:鍍P型熱電材料,厚度 1. 4 um N PR Silicon Oxide Si-Substrate P Sputtering

2017/6/3 第一版 Step 13:鍍P型熱電材料,厚度 1. 4 um N PR Silicon Oxide Si-Substrate P Sputtering Recipe Bi 0. 4 Te 3. 0 Sb 1. 6 Base Pressure 4. 9× 10 -6 torr Gas Flow Ar-10 sccm Power DC-20 W Rotating speed 10 rpm Deposition Times 4434 s Thickness 1400 nm l 開啟Sputter後,破真空, 將Bi 0. 4 Te 3. 0 Sb 1. 6靶換入 桿中,同時放入試片後, 抽真空。 l 依照參數進行濺鍍。 l 濺鍍完後取出。 (濺鍍靶材會因為把裁剩餘 的多寡,在表面造成形變, 因此鍍率也會有所差異,鍍 率最好每次濺鍍時重新測量 一次)) 27

2017/6/3 第一版 Step 17:依序濺鍍Ti/Ta,厚度分別 20 nm/2000 nm Sputtering Recipe Base Pressure N PR Silicon

2017/6/3 第一版 Step 17:依序濺鍍Ti/Ta,厚度分別 20 nm/2000 nm Sputtering Recipe Base Pressure N PR Silicon Oxide Si-Substrate P Titanium 4. 9× 10 -6 torr Tantalum 4. 9× 10 -6 torr Gas Flow Ar-13 sccm Power DC-100 W Rotating speed 20 rpm Deposition Times 833 s 9478 s Thickness 100 nm 2000 nm l 開啟Sputter後,破真 空,將Ti靶跟Ta靶換 入桿中,同時放入試 片後,抽真空。 l 依照參數進行濺鍍。 l 濺鍍完後取出,OM 檢視下結果圖如左下 圖。 31