1 Nettoyage RCA Test hydrophobie Si 2 Oxydation

1. Nettoyage RCA Test hydrophobie Si

2. Oxydation humide 6000 -6500 angströms Si. O 2 Si Si. O 2

3. Photolithographie – Masque 1 a- Dépôt résine photosensible positive b- Alignement du masque Si. O 2 Si Si. O 2 Résine Masque

3. Photolithographie – Masque 1 c- Insolation UV Si. O 2 Si Si. O 2 Résine Masque Résine exposée UV

3. Photolithographie – Masque 1 d- Développement résine – DEV > 0 Si. O 2 Si Si. O 2 Résine exposée UV

3. Photolithographie – Masque 1 e- Gravure Si. O 2 Attention au risque de surgravure Si. O 2 Si Si. O 2 Résine

3. Photolithographie – Masque 1 f- Dé laquage - Remover Si. O 2 Si Résine

4. Dopage / Diffusion Bore et décapage de l’oxyde de Bore ( HF ) B B B B Si. O 2 Si Si dopé P

5. Photolithographie – Masque 2 a- Ouverture de la grille Dépôt résine photosensible positive b- Alignement du masque Si. O 2 Si Si dopé P Résine Masque

5. Photolithographie – Masque 2 c- Ouverture de la grille Insolation UV Si. O 2 Si Si dopé P Résine Masque

5. Photolithographie – Masque 2 Ouverture de la grille d- Développement résine – DEV > 0 Si. O 2 Si Si dopé P Résine

5. Photolithographie – Masque 2 Ouverture de la grille e- Gravure Si. O 2 Attention au risque de surgravure Si. O 2 Si Si dopé P Résine

5. Photolithographie – Masque 2 Ouverture de la grille f- Dé laquage - Remover Nettoyage RCA Si. O 2 Si Si dopé P

6. Oxydation sèche Oxyde de grille – 900 à 1000 angströms Si. O 2 Si Si dopé P

7. Photolithographie – Masque 3 Ouverture des contacts a- Dépôt résine photosensible positive b- Alignement du masque Si. O 2 Si Si dopé P Résine Masque

7. Photolithographie – Masque 3 Ouverture des contacts c- Insolation UV Si. O 2 Si Si dopé P Résine Masque

7. Photolithographie – Masque 3 Ouverture des contacts d- Développement résine – DEV > 0 e- Gravure Si. O 2 Attention au risque de surgravure Si. O 2 Si Si dopé P Résine

7. Photolithographie – Masque 3 Ouverture des contacts f- Dé laquage - Remover Si. O 2 Si Si dopé P Résine

8. Dépôt Aluminium Si. O 2 2 Si Si dopé P Aluminium

8. Photolithographie - Masque 4 Isolation des contacts d’aluminium a- Dépôt résine photosensible positive b- Alignement du masque Si. O 2 2 Si Si dopé P Aluminium Résine

8. Photolithographie - Masque 4 Isolation des contacts d’aluminium c- Insolation UV Si. O 2 2 Si Si dopé P Aluminium Résine

8. Photolithographie - Masque 4 Isolation des contacts d’aluminium d- Développement résine – DEV > 0 e- Gravure Aluminium Si. O 2 2 Si Si dopé P Aluminium Résine

8. Photolithographie - Masque 4 Isolation des. FIN contacts d’aluminium f- Dé laquage - Remover Recuit aluminium S G D Si. O 2 2 PMOS Si Si dopé P Aluminium Résine

Si. O 2 Si Résine exposée UV Aluminium